從外觀區別（bié）DDR和DDR2，DDR3
防（fáng）呆缺口 DDR內（nèi）存單麵金手指針腳數量為（wéi）92個（雙麵184個（gè）），缺口左邊為52個針腳，製品（pǐn）右邊為40個針腳；
DDR2內存單麵金手指120個（雙麵240個），缺口左邊為64個針腳，缺（quē）口右（yòu）邊為56個針腳；
DDR3內存單麵金手指也是120個（雙麵（miàn）240個），缺口左（zuǒ）邊為72個針腳，缺口右邊為48個針腳.
2、DDR內存（cún）的顆粒為長方形
DDR2和DDR3內存的顆粒為正方形,而且體積大約隻有DDR內存顆粒的三分之一
3、使用電壓不同
DDR2的電壓1.8V
DDR3的電壓（yā）1.5V
參數（shù）不同之處
|
電壓 VDD/VDDQ |
2.5V/2.5V |
1.8V/1.8V(±0.1) |
1.5V/1.5V(±0.075) |
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I/O接口（kǒu） |
SSTL_25 |
SSTL_18 |
SSTL_15 |
|
數據傳輸率(Mbps) |
200～400 |
400～800 |
800～2000 |
|
容量標準 |
64M～1G |
256M～4G |
512M～8G |
|
Memory Latency(ns) |
15～20 |
10～20 |
10～15 |
|
CL值 |
1.5/2/2.5/3 |
3/4/5/6 |
5/6/7/8 |
|
預取設計(Bit) |
2 |
4 |
8 |
|
邏輯Bank數量 |
2/4 |
4/8 |
8/16 |
|
突發長（zhǎng）度（dù） |
2/4/8 |
4/8 |
8 |
|
封裝 |
TSOP |
FBGA |
FBGA |
|
引腳標準 |
184Pin |
240Pin |
240Pin |
關鍵詞（cí）：DDR,DDR2,DDR3
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