CMOS中（zhōng）關於內存的設置比較多，但不少（shǎo）選項是比較專業的，因此，如果設置後出現問題，請選擇“LOAD Bioses DEFAULTS”，恢複可靠的設置參（cān）數。下麵逐條說明相關內存設（shè）置。 

　　Above 1MB Memory Test：設置開機自檢時是（shì）否檢測1M以上內存。該選項已經在新（xīn）的Bioses中被淘汰。由於內存價格暴跌，電腦用戶安（ān）裝內存容量陡然增加，開機時的大容量內存（cún）自檢時間太長，今（jīn）後（hòu），即（jí）使一遍的內存檢測可能也會出現允（yǔn）許/禁止開關。

　　Auto Configuration：設置為允許時（shí），Bioses按照（zhào）最佳狀態設置。Bioses可以自動設（shè）置內存定時，因此會禁止一些對（duì）內（nèi）存設置的修改，建議選擇允許方式。

　　Memory Test Tick Sound：是否發出內存自檢（jiǎn）的滴嗒聲。如（rú）果您閑它煩，可以關閉它們。 

　　Memory Parity Error Check：設置是否要設置內存（cún）奇偶校驗（yàn）。多在30線內存條使用時代，已經被（bèi）淘汰。但把非奇偶校驗內存強行進行奇偶校驗設置會使電腦無法開機（jī）。

 　　Cache Memory Controller：是否（fǒu）使用（yòng）高速緩存。不在流行的Award Bioses中使用。

　　Shadow RAM Option：設（shè）置係統Bioses或顯示卡（kǎ）Bioses是否映射到常規（guī）內存中。可以（yǐ）加快速度，但也可能造（zào）成死機。

　　Internal Cache Memory：是否使用CPU內部緩存（一級緩存）。可以提高係統性能。

　　External Cache Memory：是否使用CPU外部緩存（主板上的（de）二級緩存）。可（kě）以提高係統性（xìng）能。AMD新的具有兩級緩存（cún）的CPU的出現，使主板上的二級緩存（cún）退居成三級緩（huǎn）存。

　　Concurrent Refresh：直譯是同時發生的刷新。設置（zhì）CPU在對其它I/O操作時（shí）對內存（cún）同時刷新，可以提高係統性能。

　　DRAM Read Wait State：設置CPU從內存讀數（shù）據時的等待時鍾周期（qī）。在內存比（bǐ）CPU慢時可（kě）以設置更多的等待。

　　DRAM Write Wait State：設置CPU向內存寫數據時的等待時鍾周期（qī）。在內存比CPU慢時可以設置更多的等待（dài）。

　　Slow Refresh：對質量好的內（nèi）存，保持數據的時間（jiān）比（bǐ）較長，可以設（shè）置更長的時間周期，從而提高係（xì）統性能。

　　Shadow Cachecable：把映射到常規內存的（de）Bioses ROM增加高速（sù）緩（huǎn）存，使性能更進一（yī）步。

　　Page Mode：使內存（cún）工作於Page Mode或Page Interleaved模式。

　　RAS Timeout Counter：使（shǐ）Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。因為有可（kě）能會（huì）超過內存RAS周期，因此采用計（jì）數器來（lái）監視RAS周期，一旦超過RAS周期，則將周期 自動複位為0。

　　Memory Relocations：內存重新定（dìng）位。即將384的上位內存（Upper Memory Block）數據轉儲到1MB以上的擴展內存中。

　　Memory Hole：有（yǒu）人稱作內存孔洞。把內存地址15MB-16MB的區域留給一些特殊的ISA擴展卡使用，可以加速該卡工作速度或避免衝突。一般（bān）被（bèi）設置成禁止，除非ISA擴展卡有專門的說明。

　　DRMA Timing Setting：快頁內存或EDO內存速度設置，通常是60ns或70ns選擇（zé），對10ns或更快的SDRAM內存無效。

　　Fast MA to RAS Delay：設置（zhì）內存地址（Memory Address）到（dào）內存行地址觸發（fā）信號（RAS）之間的延遲時間。

　　DRAM Write Brust Timing：CPU把數據寫如高速緩（huǎn）存後（hòu），再寫如內存的延遲時間。

　　Fast RAS To CAS Delay：行地址觸發信號到列地（dì）址觸發信號之間的延遲時間。通（tōng）常是RAS#下降到CAS#下降之間的時間。

　　DRAM Lead-Off Timing：CPU讀/寫內存前的時間。 

　　DRAM Speculative Read：設置成（chéng）允許時，讀（dú）內（nèi）存的時（shí）間比正常時間提前一個時間周期（qī），可以提高係統性能（néng）。 

　　DRAM Data Integrity Mode：選擇內存校驗方式是Parity或ECC。

　　Refresh RAS Assertion：設（shè）置內存（cún）的行地址刷新時間周期，對質（zhì）量好的內存（cún）可以延（yán）遲刷新，從而提高係統性（xìng）能。

　　RAS Recharge Period：內存行（háng）地址信號預先充電所需要的時間。

　　Fast EDO Path Select：設置選擇對（duì）EDO內存讀/寫的快速途徑，可以提高係統性能。

　　SDRAM RAS Latency：設置SDRAM內存的行地址觸（chù）發到列地址觸發的時間延遲。

　　SDRAM RAS Timing：設置係統對SDRAM內存的行地址觸發時間，也即刷新時間。 

　　Peer Concurrency：為提高係統並行，使CPU對高（gāo）速緩存或內存或（huò）PCI設備，或PCI的主控信號對PCI外圍設備等等操作同時進行。係統智能越高，同（tóng）CPU並行的操作越多，性能提高越多。